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氧化硅晶体基片
- 型号：
- SiO2
- 产品概述：
- 氧化硅(SiO2)单晶水晶片是一种极好的基片用于无线通讯工业的微波滤波器，澳门太阳游戏城公司可以为研究和工业生产提供高质量最低价格的水晶片，真诚欢迎您的垂询！
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数 |
晶体结构: | 六方 a=4.914 Å c=5.405 Å | 生长方法: | 水热 | 硬度: | 7.0Mohs | 密度: | 2.684g/cm3 | 熔点: | 1610oC( 相转变点：573.1oC) | 热容: | 0.18cal/gm | 热电常数: | 1200mV /oC @ 300oC | 热导率: | 0.0033 cal/cm/oC | 热膨胀系数 (x10-6/ oC): | a11: 13.71 a33: 7.48 | 折射率: | 1.544 | Q值: | 1.8 x 106 min. | 声速声表: | 3160 (m/sec) | 频率常数: | 1661 (kHz/mm) | 压电偶合: | K2 (%) BAW: 0.65 SAW:0.14 | 包裹物: | IEC Grade II | TTV: | <5um |
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| 产品规格 |
方向： | Y, X 或Z 切：在30o ~ 42.75o ± 5分范围内旋转任意值； 主定位边：根据客户要求定方向±30分 ； 次定位边：根据客户要求定方向 ； 籽晶：位于中心，宽度 | 抛光面： | 外延抛光：单抛或双抛Ra<5Å ； 工作区域：基片直径-3mm ； 弯曲度：φ3"<20um，φ4"<30um ； 工作区域无崩边，在边缘，崩边宽度<0.5mm ； 坑和划痕：每片<3，每100片<20 . | 标准厚度： | 0.5mm ± 0.05mm | 标准直径： | dia2" (50.8mm ) dia3"(76.2mm) dia4"(100mm) ±0.5mm 主定位边：22±1.5mm (f 3" ) 32±3.0mm ( f 4" ) 次定位边：10mm±1.5mm |
注：可按照客户要求加工尺寸和晶向
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| 标准包装 |
1000级超净室100级超净袋包装或者单片盒以及25片插盒装 |
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