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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数 |
晶胞结构 | 六方 | 晶格常数 | a =3.08 Å c = 15.08 Å | 排列次序 | ABCACB (6H) | 生长方法 | MOCVD | 方向 | 生长轴或偏(0001) 3.5° | 抛光 | Si面抛光 | 带隙 | 2.93 eV (间接) | 导电类型 | N | 电阻率 | 0.076 ohm-cm | 介电常数 | e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 | 热导率@300K | 5 W / cm . K | 硬度 | 9.2 Mohs |
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| 产品规格 |
常规晶向： <0001>； 掺杂类型： 6H N型 表示专门掺N的，掺杂浓度10E18-10E19； 4H N型 或者半绝缘；
常规尺寸：dia2"x0.33mm、dia2"x0.43mm； dia3"x0.35mm、10x10mm、10x5mm; 抛光情况：单抛或双抛，Ra<10A； 我司现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，单抛 一种低电阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一种是高电阻率（>10^5 ohm.cm)
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| 标准包装 |
1000级超净室100级超净袋或单片盒封装 |
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