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氮化镓(GaN)晶体基片
- 产品概述：
- GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).澳门太阳游戏城公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数 |
制作方法： | HVPE（氢化物气象外延法） | 传导类型： | N型；半绝缘型 | 电阻率： | R<0.05 Ω.cm； R | 表面粗糙度： | <0.5nm | 位错密度： | <5x106Ω.cm | 可用表面积： | >90% | TTV: | ≤15um | Bow: | ≤20um |
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| 产品规格 |
晶体方向: 注：可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
| 标准包装 |
1000级超净室100级超净袋或单片盒装 |
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